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ALD1110EPAL

ALD1110EPAL
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產(chǎn)品型號(hào) ALD1110EPAL
制造商 Advanced Linear Devices, Inc.
產(chǎn)品介紹 MOSFET 2N-CH 10V 8DIP
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs500Ohm @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id1.01V @ 1μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2.5pF @ 5V
Power - Max600mW Operating Temperature0°C ~ 70°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Package / Case8-DIP (0.300", 7.62mm)
Supplier Device Package8-PDIP

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