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AONE36132

AONE36132
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產(chǎn)品型號(hào) AONE36132
制造商 Alpha and Omega Semiconductor,
產(chǎn)品介紹 ASYMMETRIC N
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET FeatureStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Ta), 60A (Ta), 34A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.6mOhm @ 17A, 10V, 1.4mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id1.8V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21nC @ 10V, 80nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds880pF @ 12.5V, 3215pF @ 12.5V
Power - Max2W (Ta), 25W (Tc), 2.5W (Ta), 35.5W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-PowerWDFN
Supplier Device Package8-DFN-EP (3.3x3.3)

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