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HP8S36TB

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產(chǎn)品型號 HP8S36TB
制造商 ROHM Semiconductor
產(chǎn)品介紹 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,
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Product parameter

Product StatusNot For New Designs Technology-
Configuration2 N-Channel (Half Bridge) FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C27A, 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4mOhm @ 32A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs47nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6100pF @ 15V
Power - Max29W Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-PowerTDFN
Supplier Device Package8-HSOP

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