SIZF914DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix圖片僅供參考。
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產(chǎn)品型號 | SIZF914DT-T1-GE3 |
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制造商 | Vishay / Siliconix |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
---|---|---|---|
Configuration | 2 N-Channel (Dual) | FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23.5A (Ta), 40A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 10A, 10V, 0.9mOhm @ 10A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250μA, 2.2V @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V, 98nC @ 10V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1050pF @ 10V, 4670pF @ 10V |
Power - Max | 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | 8-PowerWDFN |
Supplier Device Package | 8-PowerPair? (6x5) |
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