SQJB60EP-T2_GE3
Vishay / Siliconix圖片僅供參考。
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產(chǎn)品型號(hào) | SQJB60EP-T2_GE3 |
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制造商 | Vishay / Siliconix |
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Product parameter
Product Status | Active | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
---|---|---|---|
Configuration | 2 N-Channel (Dual) | FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 10A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 25V |
Power - Max | 48W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | PowerPAK? SO-8 Dual |
Supplier Device Package | PowerPAK? SO-8 Dual |
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