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TSM250N02DCQ

TSM250N02DCQ
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產(chǎn)品型號(hào) TSM250N02DCQ
制造商 Taiwan Semiconductor
產(chǎn)品介紹 20V, 5.8A, DUAL N-CHANNEL POWER
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel FET FeatureStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 4A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id0.8V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds775pF @ 10V
Power - Max620mW (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case6-VDFN Exposed Pad
Supplier Device Package6-TDFN (2x2)

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