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QS8J12TCR

QS8J12TCR
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產(chǎn)品型號 QS8J12TCR
制造商 ROHM Semiconductor
產(chǎn)品介紹 MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
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Product parameter

Product StatusNot For New Designs TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 P-Channel (Dual) FET FeatureLogic Level Gate, 1.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4200pF @ 6V
Power - Max550mW Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-SMD, Flat Lead
Supplier Device PackageTSMT8

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