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DMT6011LPDW-13

DMT6011LPDW-13
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產(chǎn)品型號 DMT6011LPDW-13
制造商 Diodes Incorporated
產(chǎn)品介紹 MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.3A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 10A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22.2nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1072pF @ 30V
Power - Max2.5W (Ta), 37.9W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-PowerTDFN
Supplier Device PackagePowerDI5060-8 (Type UXD)

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