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DMT3009UDT-7

DMT3009UDT-7
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產(chǎn)品型號 DMT3009UDT-7
制造商 Diodes Incorporated
產(chǎn)品介紹 MOSFET BVDSS: 25V~30V V-DFN3030-
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) Common Source FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.6A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs11.1mOhm @ 11A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id1.8V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.6nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds894pF @ 15V
Power - Max1.1W (Ta), 16W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-VDFN Exposed Pad
Supplier Device PackageV-DFN3030-8 (Type KS)

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