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EPC2108

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產(chǎn)品型號(hào) EPC2108
制造商 EPC
產(chǎn)品介紹 GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
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Product parameter

Product StatusObsolete TechnologyGaNFET (Gallium Nitride)
Configuration3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)60V, 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 100μA, 2.5V @ 20μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Power - Max- Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case9-VFBGA
Supplier Device Package9-BGA (1.35x1.35)

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