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DMG6602SVTQ-7

DMG6602SVTQ-7
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產(chǎn)品型號 DMG6602SVTQ-7
制造商 Diodes Incorporated
產(chǎn)品介紹 MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.4A, 2.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 3.1A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds400pF @ 15V
Power - Max840mW Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device PackageTSOT-26

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