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FDMQ86530L

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產(chǎn)品型號 FDMQ86530L
制造商 onsemi
產(chǎn)品介紹 MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration4 N-Channel (Half Bridge) FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs17.5mOhm @ 8A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2295pF @ 30V
Power - Max1.9W Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case12-WDFN Exposed Pad
Supplier Device Package12-MLP (5x4.5)

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