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EPC2107

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產(chǎn)品型號 EPC2107
制造商 EPC
產(chǎn)品介紹 GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyGaNFET (Gallium Nitride)
Configuration3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 100μA, 2.5V @ 20μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Power - Max- Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case9-VFBGA
Supplier Device Package9-BGA (1.35x1.35)

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