EPC2107
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產(chǎn)品型號 | EPC2107 |
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制造商 | EPC |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
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Configuration | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) | FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A, 500mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100μA, 2.5V @ 20μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
Power - Max | - | Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | 9-VFBGA |
Supplier Device Package | 9-BGA (1.35x1.35) |
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