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FDC8602

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產(chǎn)品型號(hào) FDC8602
制造商 onsemi
產(chǎn)品介紹 MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs350mOhm @ 1.2A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds70pF @ 50V
Power - Max690mW Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device PackageSuperSOT?-6

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