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BSO615CGXUMA1

BSO615CGXUMA1
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產(chǎn)品型號 BSO615CGXUMA1
制造商 Infineon Technologies
產(chǎn)品介紹 MOSFET N/P-CH 8-SOIC
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Product parameter

Product StatusLast Time Buy TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.1A (Ta), 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 3.1A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 20μA, 2V @ 450μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22.5nC @ 10V, 20nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds380pF @ 25V, 460pF @ 25V
Power - Max2W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device PackagePG-DSO-8

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