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IRF620

IRF620
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產(chǎn)品型號(hào) IRF620
制造商 Harris Corporation
產(chǎn)品介紹 5.0A 200V 0.800 OHM N-CHANNEL
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs800mOhm @ 3A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds350 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)70W (Tc) Operating Temperature-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-220AB
Package / CaseTO-220-3

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