RF1S640
Harris Corporation圖片僅供參考。
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| 產(chǎn)品型號(hào) | RF1S640 |
|---|---|
| 制造商 | Harris Corporation |
| 產(chǎn)品介紹 | 18A, 200V, 0.180 OHM, N-CHANNEL 我們努力為客戶提供 Harris Corporation品牌的產(chǎn)品RF1S640 最有競(jìng)爭(zhēng)力的供應(yīng)鏈服務(wù)，請(qǐng)登錄我們官網(wǎng) m.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 10A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1275 pF @ 25 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
RF1S640 相關(guān)的關(guān)鍵詞
RF1S640是一款高性能、可靠性強(qiáng)的單 FET、MOSFET
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