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RFM12N10

RFM12N10
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產(chǎn)品型號 RFM12N10
制造商 Harris Corporation
產(chǎn)品介紹 N-CHANNEL POWER MOSFET
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs200mOhm @ 12A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds850 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)75W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-3
Package / CaseTO-204AA, TO-3

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