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HUF75309D3

HUF75309D3
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產(chǎn)品型號 HUF75309D3
制造商 Harris Corporation
產(chǎn)品介紹 N-CHANNEL POWER MOSFET
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 17A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 20 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds350 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)45W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageI-PAK
Package / CaseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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