IRFD321
Harris Corporation圖片僅供參考。
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| 產(chǎn)品型號 | IRFD321 |
|---|---|
| 制造商 | Harris Corporation |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 350 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 250mA, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 455 pF @ 25 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | 4-DIP, Hexdip |
| Package / Case | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
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