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FQAF12P20

FQAF12P20
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產(chǎn)品型號 FQAF12P20
制造商 Fairchild Semiconductor
產(chǎn)品介紹 MOSFET P-CH 200V 8.6A TO3PF
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Product parameter

Product StatusObsolete FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.6A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs470mOhm @ 4.3A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40 nC @ 10 V Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1200 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)70W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-3PF
Package / CaseTO-3P-3 Full Pack

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