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P3M06040K4

P3M06040K4
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產(chǎn)品型號 P3M06040K4
制造商 PN Junction Semiconductor
產(chǎn)品介紹 SICFET N-CH 650V 68A TO247-4
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C68A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 40A, 15V Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 7.5mA (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)+20V, -8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds- FET Feature-
Power Dissipation (Max)254W Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-247-4L
Package / CaseTO-247-4

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