P3M12080K3
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產(chǎn)品型號(hào) | P3M12080K3 |
---|---|
制造商 | PN Junction Semiconductor |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
---|---|---|---|
Technology | SiCFET (Silicon Carbide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 47A | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 96mOhm @ 20A, 15V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 5mA (Typ) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | Vgs (Max) | +21V, -8V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 221W | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-247-3L |
Package / Case | TO-247-3 |
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