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P3M06060G7

P3M06060G7
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產(chǎn)品型號 P3M06060G7
制造商 PN Junction Semiconductor
產(chǎn)品介紹 SICFET N-CH 650V 44A TO-263-7
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C44A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs79mOhm @ 20A, 15V Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 20mA (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)+20V, -8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds- FET Feature-
Power Dissipation (Max)159W Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageD2PAK-7
Package / CaseTO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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