P3M06060K3
PN Junction Semiconductor圖片僅供參考。
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| 產(chǎn)品型號 | P3M06060K3 |
|---|---|
| 制造商 | PN Junction Semiconductor |
| 產(chǎn)品介紹 | SICFET N-CH 650V 48A TO247-3 我們努力為客戶提供 PN Junction Semiconductor品牌的產(chǎn)品P3M06060K3 最有競爭力的供應鏈服務，請登錄我們官網(wǎng) m.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 48A | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 79mOhm @ 20A, 15V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 20mA (Typ) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | Vgs (Max) | +20V, -8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 188W | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-247-3L |
| Package / Case | TO-247-3 |
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P3M06060K3是一款高性能、可靠性強的單 FET、MOSFET
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