P1H06300D8
PN Junction Semiconductor圖片僅供參考。
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產(chǎn)品型號 | P1H06300D8 |
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制造商 | PN Junction Semiconductor |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
---|---|---|---|
Technology | GaNFET (Gallium Nitride) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | Vgs(th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | Vgs (Max) | +10V, -20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 55.5W | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | DFN8*8 |
Package / Case | - |
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