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P1H06300D8

P1H06300D8
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產(chǎn)品型號 P1H06300D8
制造商 PN Junction Semiconductor
產(chǎn)品介紹 GANFET N-CH 650V 10A DFN 8X8
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyGaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs- Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)+10V, -20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds- FET Feature-
Power Dissipation (Max)55.5W Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageDFN8*8
Package / Case-

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