FQP4N20L
Fairchild Semiconductor圖片僅供參考。
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| 產(chǎn)品型號 | FQP4N20L |
|---|---|
| 制造商 | Fairchild Semiconductor |
| 產(chǎn)品介紹 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 我們努力為客戶提供 Fairchild Semiconductor品牌的產(chǎn)品FQP4N20L 最有競爭力的供應鏈服務，請登錄我們官網(wǎng) m.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35Ohm @ 1.9A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2 nC @ 5 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 310 pF @ 25 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Package / Case | TO-220-3 |
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FQP4N20L是一款高性能、可靠性強的單 FET、MOSFET
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