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20N06

20N06
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產(chǎn)品型號(hào) 20N06
制造商 Goford Semiconductor
產(chǎn)品介紹 N60V,25A,RD<24M@10V,VTH1.0V~2.5V
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1609 pF @ 30 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)41W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTO-252
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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