FBG04N08ASH
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產(chǎn)品型號 | FBG04N08ASH |
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制造商 | EPC Space |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
---|---|---|---|
Technology | GaNFET (Gallium Nitride) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 8A, 5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8 nC @ 5 V | Vgs (Max) | +6V, -4V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 312 pF @ 20 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | - | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 4-SMD |
Package / Case | 4-SMD, No Lead |
FBG04N08ASH 相關(guān)的關(guān)鍵詞
FBG04N08ASH是一款高性能、可靠性強的單 FET、MOSFET
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