RF1S4N100SM9A
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產(chǎn)品型號 | RF1S4N100SM9A |
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制造商 | Harris Corporation |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
---|---|---|---|
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 2.5A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | TO-263AB |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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