RF1S640SM
Harris Corporation圖片僅供參考。
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| 產(chǎn)品型號(hào) | RF1S640SM |
|---|---|
| 制造商 | Harris Corporation |
| 產(chǎn)品介紹 | MOSFET N-CH 200V 18A TO263AB 我們努力為客戶提供 Harris Corporation品牌的產(chǎn)品RF1S640SM 最有競爭力的供應(yīng)鏈服務(wù)，請登錄我們官網(wǎng) m.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 10A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1275 pF @ 25 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | TO-263AB |
| Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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