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NP82N055NUG-S18-AY

NP82N055NUG-S18-AY
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產(chǎn)品型號 NP82N055NUG-S18-AY
制造商 NEC Corporation
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 55V 82A TO262
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Product parameter

Product StatusObsolete FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C82A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 41A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs160 nC @ 10 V Vgs (Max)-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9600 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.8W (Ta), 143W (Tc) Operating Temperature175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-262
Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

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