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IRFF211

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產(chǎn)品型號 IRFF211
制造商 Harris Corporation
產(chǎn)品介紹 N-CHANNEL POWER MOSFET
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.2A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 1.25A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.5 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds135 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)15W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-205AF (TO-39)
Package / CaseTO-205AF Metal Can

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