IRFF211
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產(chǎn)品型號 | IRFF211 |
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制造商 | Harris Corporation |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
---|---|---|---|
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.25A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 135 pF @ 25 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 15W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-205AF (TO-39) |
Package / Case | TO-205AF Metal Can |
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IRFF211是一款高性能、可靠性強(qiáng)的單 FET、MOSFET
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