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RFP17N06L

RFP17N06L
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產(chǎn)品型號 RFP17N06L
制造商 Harris Corporation
產(chǎn)品介紹 N-CHANNEL, MOSFET
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 17A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45 nC @ 30 V Vgs (Max)±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds- FET Feature-
Power Dissipation (Max)60W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-220AB
Package / CaseTO-220-3

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