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RFB18N10CSVM

RFB18N10CSVM
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產(chǎn)品型號 RFB18N10CSVM
制造商 Harris Corporation
產(chǎn)品介紹 N-CHANNEL POWER MOSFET
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 9A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds- FET Feature-
Power Dissipation (Max)79W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-220-5
Package / CaseTO-220-5

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