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RFD3055LESM9A

RFD3055LESM9A
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產品型號 RFD3055LESM9A
制造商 Harris Corporation
產品介紹 MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
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Product parameter

Product StatusObsolete FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs107mOhm @ 8A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.3 nC @ 10 V Vgs (Max)±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds350 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)38W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTO-252, (D-Pak)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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