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RM15N650TI

RM15N650TI
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產(chǎn)品型號 RM15N650TI
制造商 Rectron USA
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CHANNEL 650V 15A TO220F
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs260mOhm @ 8A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1360 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)33.5W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-220F
Package / CaseTO-220-3 Full Pack

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