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IRF630

IRF630
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產(chǎn)品型號(hào) IRF630
制造商 Harris Corporation
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
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Product parameter

Product StatusObsolete FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 5.4A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs43 nC @ 10 V Vgs (Max)-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds800 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)- Operating Temperature-
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-220AB
Package / CaseTO-220-3

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