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RM5N800IP

RM5N800IP
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產(chǎn)品型號 RM5N800IP
制造商 Rectron USA
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CHANNEL 800V 5A TO251
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 2.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds680 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)81W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-251
Package / CaseTO-251-3 Stub Leads, IPak

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