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RFD7N10LE

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產(chǎn)品型號 RFD7N10LE
制造商 Harris Corporation
產(chǎn)品介紹 N-CHANNEL POWER MOSFET
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 7A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs150 nC @ 10 V Vgs (Max)+10V, -8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds360 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)47W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-220-3
Package / CaseTO-220-3

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