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RFD20N03

RFD20N03
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產品型號 RFD20N03
制造商 Harris Corporation
產品介紹 N-CHANNEL POWER MOSFET
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs75 nC @ 20 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1150 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)90W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageI-PAK
Package / CaseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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