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XP2N1K2EN1

XP2N1K2EN1
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產(chǎn)品型號(hào) XP2N1K2EN1
制造商 XSemi
產(chǎn)品介紹 MOSFET P-CH -20V -5A SOT-23
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 200mA, 2.5V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.7 nC @ 2.5 V Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds44 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)150mW (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-723
Package / CaseSOT-723

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