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RM10N30D2

RM10N30D2
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產(chǎn)品型號(hào) RM10N30D2
制造商 Rectron USA
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 30V 10A 6PQFN
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 11A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1415 pF @ 15 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)730mW (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package6-PQFN (2x2)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad

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