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RM2305B

RM2305B
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產(chǎn)品型號 RM2305B
制造商 Rectron USA
產(chǎn)品介紹 MOSFET P-CH 20V 3A/4.1A SOT23
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta), 4.1A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs52mOhm @ 4.1A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds740 pF @ 4 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.7W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-23
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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