FBG20N18BSH
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| 產品型號 | FBG20N18BSH |
|---|---|
| 制造商 | EPC Space |
| 產品介紹 | GAN FET HEMT 200V 18A 4FSMD-B 我們努力為客戶提供 EPC Space品牌的產品FBG20N18BSH 最有競爭力的供應鏈服務，請登錄我們官網 m.r8uu.com了解產品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產品參數
- pdf參數資料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 18A, 5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 5 V | Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 100 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 4-SMD |
| Package / Case | 4-SMD, No Lead |
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