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G33N03S

G33N03S
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產(chǎn)品型號(hào) G33N03S
制造商 Goford Semiconductor
產(chǎn)品介紹 N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 8A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 5 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1550 pF @ 15 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.5W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-SOP
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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