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G06N10

G06N10
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產(chǎn)品型號(hào) G06N10
制造商 Goford Semiconductor
產(chǎn)品介紹 N100V,RD(MAX)<240M@10V,VTH1.2V~3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 6A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.2 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds190 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)25W Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTO-252 (DPAK)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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