G09P02L
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產(chǎn)品型號 | G09P02L |
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制造商 | Goford Semiconductor |
產(chǎn)品介紹 | P20V,RD(MAX)<23M@-4.5V,RD(MAX)<3 我們努力為客戶提供 Goford Semiconductor品牌的產(chǎn)品G09P02L 最有競爭力的供應(yīng)鏈服務(wù),請登錄我們官網(wǎng) m.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | FET Type | P-Channel |
---|---|---|---|
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 1A, 4.5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V | Vgs (Max) | ±12V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 620 pF @ 10 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 2.2W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
G09P02L 相關(guān)的關(guān)鍵詞
G09P02L是一款高性能、可靠性強(qiáng)的單 FET、MOSFET
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