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G09P02L

G09P02L
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產(chǎn)品型號 G09P02L
制造商 Goford Semiconductor
產(chǎn)品介紹 P20V,RD(MAX)<23M@-4.5V,RD(MAX)<3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs23mOhm @ 1A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds620 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.2W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-23-3
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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