G02P06
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| 產品型號 | G02P06 |
|---|---|
| 制造商 | Goford Semiconductor |
| 產品介紹 | P60V,RD(MAX)<190M@-10V,RD(MAX)<2 我們努力為客戶提供 Goford Semiconductor品牌的產品G02P06 最有競爭力的供應鏈服務，請登錄我們官網 m.r8uu.com了解產品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | P-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 1A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.3 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 573 pF @ 30 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | SOT-23 |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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