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GT6K2P10IH

GT6K2P10IH
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產(chǎn)品型號(hào) GT6K2P10IH
制造商 Goford Semiconductor
產(chǎn)品介紹 MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs670mOhm @ 1A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds253 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.4W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-23-3
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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