GT6K2P10IH
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產(chǎn)品型號(hào) | GT6K2P10IH |
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制造商 | Goford Semiconductor |
產(chǎn)品介紹 | MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23 我們努力為客戶提供 Goford Semiconductor品牌的產(chǎn)品GT6K2P10IH 最有競(jìng)爭(zhēng)力的供應(yīng)鏈服務(wù),請(qǐng)登錄我們官網(wǎng) m.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | FET Type | P-Channel |
---|---|---|---|
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 670mOhm @ 1A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 253 pF @ 50 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 1.4W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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